由特斯拉（Tesla）與SpaceX共同推動的晶片製造計畫 Terafab，已開始向日本半導體設備製造商下單；部分訂單的交貨期限僅剩數個月。據《日本經濟新聞》（Nikkei）11月9日報導，這波急單與馬斯克（Elon Musk）希望在2028年下半年開始量產的目標有關。從長期來看，Terafab已向設備商表示，計畫在2032年後達到每月100萬片晶圓的產能，其中約70萬片將用於記憶體晶片。
Terafab的多名採購人員於11月初前往日本，與當地供應商會面，並開始就設備採購、交貨與安裝安排進行細節協調。 一家日本設備製造商表示，Terafab設定的交貨期限只有幾個月；該公司代表向《日經》表示：「這是一筆不合理的訂單，但我們別無選擇，只能盡可能配合。」
馬斯克也在SpaceX的財報電話會議上，感謝艾司摩爾（ASML）及其他合作夥伴提前交貨。 對日本設備業者而言，這項計畫可能帶來龐大新訂單，但如何在既有產能已相當吃緊的情況下滿足交期，仍是重大挑戰。
記憶體比重高
據知情人士向《日經》透露，Terafab今年秋天已非正式告知設備商，計畫在2032年後達到每月100萬片晶圓的產量規模。 其中約70萬片將用於資料儲存用的記憶體晶片，超過30萬片則用於負責運算的邏輯晶片。
| 項目 | 月產能 |
|---|---|
| Terafab自2032年起的總目標 | 約100萬片晶圓 |
| 記憶體晶片 | 約70萬片晶圓 |
| 邏輯晶片 | 超過30萬片晶圓 |
這個總產能目標，約為日本Rapidus位於北海道千歲市晶圓廠每月2.5萬片產能的40倍。 單就記憶體部分而言，每月70萬片的規模已接近三星電子（Samsung Electronics）整體DRAM產能，約為每月65萬至70萬片。
Terafab尚未說明其記憶體產能是否僅涵蓋DRAM，或也包括NAND快閃記憶體；也未說明HBM與LPDDR之間將如何分配。 《時事通信社》報導，英特爾（Intel）正為邏輯晶片生產協調技術支援，計畫採用其2奈米與1.4奈米製程。
這批急單與馬斯克計畫在2028年下半年開始量產的目標直接相關。馬斯克在SpaceX於10月20日舉行的財報電話會議上表示，Terafab目標是在2028年第三季達到量產，並希望在大約2027年5月或6月取得第一顆可正常運作的SRAM測試晶片。
他同時強調：「我在這方面設定了很大的誤差範圍，因為我們不知道是否真的能達成。」他也感謝艾司摩爾及其他供應商加快設備交貨時程。 不過，業界人士對這項進度仍持懷疑態度。一家大型設備商的高層稱2028年目標是「完全不同量級的目標」，並指出先進晶圓廠通常從規劃到量產需要三年以上。
即使設備安裝完成，仍需要時間降低缺陷率並建立穩定生產。 另有報導指出，馬斯克已重新與台積電（TSMC）洽談，討論其在該計畫中可能扮演的角色。
業界反應
日本半導體設備商愛德萬測試（Advantest）執行長Doug Lefever在近期財報說明會上表示，Terafab正「成為一項現實的業務，未來將發展成一項具重要意義的業務」。 另一名日本設備供應商高層則向《日經》表示：「現在半導體產業最熱門的話題，既不是鎧俠（Kioxia），也不是Rapidus，而是伊隆・馬斯克。」[
這顯示Terafab已不再只被視為一個「概念」，而是被業界視為一項特殊且值得認真因應的發展。 不過，供應商能否配合馬斯克提出的時程，以及量產是否能如期啟動，仍存在高度不確定性。